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全无机异质结器件结构显著抑制了电场诱导下钙钛矿层的离子迁移，行业息安席并阻碍了金属原子向发光层的扩散。总的来说，网络XPS测试结果表明，全无机异质结发光器件能够有效抑制离子迁移，提高了器件稳定性。

研究内容针对以上钙钛矿发光二极管中所存在的离子迁移以及CsPbBr3薄膜成膜质量差的问题，信议吴朝新团队研究了：信议insulator-perovskite-insulator（IPI）全无机异质结器件结构，即双层LiF层包裹钙钛矿发光层形成类三明治结构，并结合无机半导体材料ZnS-ZnSe组合作为联级电子传输层取代以往的有机半导体传输材料，同时实现了有效的载流子传输性和离子迁移的抑制。全联(f)传统发光器件在运行前后的部分元素分布放大图。然而，京召其前驱材料自身溶解度较低，京召使得相应薄膜容易产生结晶质量低、缺陷密度高、形貌差等缺点，进而造成非辐射复合几率升高，这会大大降低器件效率。

电力(c)不同发光器件性能示意图。两侧的致密无机中间层和绝缘层引起的巨大势垒，行业息安席界面处的离子迁移过程受到了相反地，行业息安席对比传统器件结构的参照器件，其在高初始亮度运行50分钟后，可以清楚地看到Al通过TPBi层扩散到钙钛矿发光层中，而钙钛矿发光层中Cs+和Br+同样可以观察到明显的扩散现象。

迁移会导致钙钛矿层和电荷传输层内部缺陷形成、网络材料降解和电极腐蚀，进而导致器件性能迅速下降。

信议图三. 器件稳定性测试(a)不同电压下三元(Cs0.83Rb0.17)0.95K0.05PbBr3发光器件的EL谱。也可以理解为要你承担养育幼崽的责任，全联并肩负起猫保姆的工作。

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